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氧化鋅Zno薄膜的性能分析
發(fā)布時間：2022-09-30
2、氧化鋅(ZnO)薄膜的電學性能
由于ZnO 薄膜中存在本征施主缺陷，如間隙Zn 原子、O空位等，使得ZnO 薄膜天然呈弱n 型導電。因此ZnO 薄膜的電阻率一般較高，在10-2 Ω·cm 數(shù)量級。但通過調(diào)整生長、摻雜或退火條件可形成簡單半導體薄膜，導電性能大幅提高，電阻率可降低到10-4 Ω·cm 數(shù)量級。
